Schnelltemperatur-Prozessofen mit kontrollierter Atmosphäre, 1100 °C, mit einer Aufheizrate von 50 °C pro Sekunde für die Wafer-Glühung

RTP-Ofen

Schnelltemperatur-Prozessofen mit kontrollierter Atmosphäre, 1100 °C, mit einer Aufheizrate von 50 °C pro Sekunde für die Wafer-Glühung

Artikelnummer: TU-RT29

Maximale Betriebstemperatur: 1100°C Maximale Aufheizrate: 50°C/s Heizelemente: 12 Kurzwellen-Infrarotlampen (18 kW)
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Dieses Hochleistungs-Schnelltemperatur-Prozesssystem (RTP) stellt einen bedeutenden Fortschritt in der Materialerwärmungstechnologie dar. Als vollautomatisches, von unten zu beladendes Gerät konzipiert, ermöglicht es Forschern und Ingenieuren, extreme Temperaturgradienten zu erreichen, die herkömmliche Muffel- oder Rohröfen nicht erreichen können. Durch den Einsatz eines hochentwickelten Kurzwellen-Infrarot-Heizarrays kann das Gerät Temperaturen mit Geschwindigkeiten von bis zu 50 °C pro Sekunde aufheizen, was es zu einem unverzichtbaren Werkzeug für Prozesse macht, die eine präzise kinetische Kontrolle und eine minimale thermische Belastung erfordern. Die von unten zu beladende Konfiguration ist speziell dafür konzipiert, eine nahtlose Integration mit automatisierten Handhabungssystemen zu ermöglichen und sicherzustellen, dass empfindliche Proben – einschließlich Halbleiterwafer bis zu 6 Zoll – mit größter Sorgfalt und Konsistenz gehandhabt werden.

Dieses System wird hauptsächlich in der Halbleiterfertigung, der fortgeschrittenen Katalyseforschung und der Dünnschichtentwicklung eingesetzt und eignet sich hervorragend für Umgebungen, in denen Durchsatz und Reproduzierbarkeit von größter Bedeutung sind. Die Kombination aus einem Quarzrohr mit großem Durchmesser und einem luftdichten Flanschsystem ermöglicht die Verarbeitung unter streng kontrollierten Atmosphären oder Hochvakuum-Bedingungen. Ob es um die Herstellung von Einzelatomkatalysatoren oder die schnelle Glühung von hochwertigen elektronischen Komponenten geht, dieses Gerät bietet eine stabile, wiederholbare Umgebung, die den strengen Anforderungen moderner industrieller F&E entspricht. Die robuste Konstruktion stellt sicher, dass das System auch unter der Belastung schneller thermischer Zyklen seine strukturelle Integrität und Präzision beibehält und eine langfristige Zuverlässigkeit für kontinuierliche Laboroperationen bietet.

Das System wurde für die Zukunft autonomer Labore entwickelt und verfügt über eine umfassende Steuerungsarchitektur, die die Synchronisation mehrerer Einheiten unterstützt. Dies ermöglicht es einem einzelnen Bediener oder einem zentralen Computer, eine ganze Flotte von Öfen zu verwalten, was die Produktivität von Wärmebehandlungsabteilungen erheblich steigert. Die Fähigkeit des Geräts, mit externen Robotersystemen zu kommunizieren, verwandelt es von einem eigenständigen Ofen in einen kritischen Knotenpunkt in einer vollautomatisierten Produktionslinie. Dieser Fokus auf Konnektivität, kombiniert mit erstklassiger Isolierung und präziser Leistungsregelung, positioniert das System als erstklassige Investition für Einrichtungen, die die Lücke zwischen experimenteller Entdeckung und industrieller Implementierung schließen wollen.

Hauptmerkmale

  • Ultraschnelle Kurzwellen-Infrarotheizung: Ausgestattet mit einem 12-Lampen-Infrarotarray mit einer Gesamtleistung von 18 kW erreicht dieses System eine maximale Aufheizrate von 50 °C/s, was eine schnelle thermische Verarbeitung ermöglicht, die die Dotierstoffdiffusion minimiert und das Kornwachstum in Dünnschichten optimiert.
  • Automatisierter Bottom-Loading-Mechanismus: Das präzisionsgefertigte Liftsystem automatisiert das Be- und Entladen von Proben, reduziert das Risiko manueller Handhabungsfehler und bietet die physische Schnittstelle, die für eine vollständige Roboterintegration erforderlich ist.
  • Fortschrittliche Atmosphären- und Vakuumkontrolle: Mit einem wassergekühlten Edelstahlflanschsystem und einem integrierten Massendurchflussregler (MFC) hält das Gerät stabile Mikrouberdruck- oder Hochvakuumumgebungen aufrecht, um empfindliche Materialien vor Oxidation zu schützen.
  • Autonomer Workflow mit hohem Durchsatz: Das System unterstützt Open-Source-Software und Standardkommunikationsprotokolle (TCP/IP, Modbus), sodass ein einzelner Laptop mehrere Einheiten verwalten und mit Roboterarmen für eine 24/7 autonome Probenverarbeitung koordinieren kann.
  • Anspruchsvolle PID-Temperaturverwaltung: Ein intelligenter 50-Segment-Programmierregler nutzt hochpräzise SCR-Leistungsregelung, um eine Genauigkeit von ±1 °C zu gewährleisten, mit einer optionalen Upgrade-Möglichkeit auf ±0,1 °C für die anspruchsvollsten Messanforderungen.
  • Zweischichtige Wärmemanagement: Die Ofenkammer verfügt über eine zweischichtige Struktur mit einem integrierten Luftkühlsystem, das sicherstellt, dass die Außenseite sicher zu berühren ist, während die internen Komponenten vor den Belastungen von Hochtemperaturbetrieb geschützt werden.
  • Integrierte Datenerfassung: Eine umfassende Software protokolliert kontinuierlich Temperatur-, Druck- und Gasflussraten und liefert einen vollständigen digitalen Zwilling des thermischen Zyklus für Qualitätssicherung und F&E-Dokumentation.
  • Hochreine Aluminiumoxidfaserisolierung: Die Heizzone ist mit hochwertiger Aluminiumoxidfaser ausgekleidet, die eine überlegene thermische Beständigkeit und Energieeffizienz bietet und sicherstellt, dass die maximale Temperatur von 1100 °C schnell erreicht und mit minimalem Wärmeverlust gehalten wird.

Anwendungen

Anwendung Beschreibung Hauptvorteil
Glühen von Halbleiterwafern Schnelltemperaturglühen von Si- oder SiC-Wafern bis zu 6 Zoll zur Aktivierung von Dotierstoffen oder zur Reparatur von Gitterdefekten. Minimales thermisches Budget verhindert unerwünschte Dotierstoffdiffusion.
Einzelatom-Katalyse Spezielle Heizprofile zur Synthese und Stabilisierung von Einzelatomkatalysatoren auf verschiedenen Trägern. Schnelle Abkühlraten verhindern die Aggregation von Metallatomen.
Dünnschichtkristallisation Schnelle thermische Verarbeitung von funktionellen Dünnschichten für Solarzellen, Sensoren oder Displaytechnologien. Optimiert Korngröße und Kristallinität durch präzise kinetische Kontrolle.
Hochdurchsatz-Sintern Automatisiertes Sintern von Keramik- oder Metallpulverpresslingen durch Roboter-Probenwechsel. Reduziert Zykluszeiten und Arbeitskosten in der Pilotproduktion drastisch.
Schnelle thermische Oxidation Kontrolliertes Wachstum dünner Oxidschichten auf Siliziumoberflächen unter hochreinen Sauerstoffatmosphären. Überlegene Gleichmäßigkeit der Dicke über die gesamte Probenoberfläche.
Kontaktsilizidierung Bildung von niederohmigen Metallsilizidkontakten in der fortschrittlichen CMOS-Verarbeitung. Präzise Temperaturhaltung gewährleistet optimale Phasenbildung.
Ionemplantationserholung Nachimplantation-Glühen zur Wiederherstellung der Kristallstruktur und elektrischen Aktivierung implantierter Ionen. Hochgeschwindigkeitsrampen ermöglichen eine effiziente Hochvolumenverarbeitung.

Technische Spezifikationen

Ofensystem (Modell: TU-RT29)

Parameter Spezifikationen
Stromversorgung Dreiphasen-AC 208V, 50/60Hz
Maximale Leistung 18 kW
Max. Betriebstemperatur 1100℃ (Dauer ≤ 30 Minuten)
Kontinuierliche Betriebstemp. 1000℃
Heizelemente 12 Kurzwellen-Infrarotlampen (je 1,5 kW)
Abmessungen der Heizzone Φ210mm × 100mm
Größe des Quarzrohrs Φ200mm
Empfohlene Aufheizrate 10℃/s
Maximale Aufheizrate 50℃/s (RT bis 900℃)
Abkühlrate (geschlossen) 800℃ bis 350℃: 55℃/min; 350℃ bis 200℃: 5℃/min
Abkühlrate (offen) 800℃ bis 350℃: 200℃/min; 350℃ bis 50℃: 35℃/min
Temperaturregelung PID-Automatikregelung, 50-Segment programmierbar
Regelgenauigkeit ±1℃ (Optionales Upgrade auf ±0,1℃ verfügbar)
Druckregelung Mikrouberdruck (103.000–120.000 Pa)
Massendurchflussregler Integrierter MFC von 0-5000 sccm
Vakuumanschluss KF25 Vakuumanschluss reserviert; Wassergekühlte Edelstahlflansche

Optionales Roboter-Assistenzsystem

Merkmal Leistungsdaten
Nennlast 5 kg
Arbeitsradius 900 mm
Max. Armreichweite 1096 mm
Wiederholgenauigkeit der Positionierung ±0,02 mm
Kommunikationsprotokolle TCP/IP, Modbus, Drahtloses Netzwerk
Stromverbrauch 150 W (typisch)

Optionale Kühl- und Vakuumsysteme

Zubehör Modell/Spezifikation
Umlaufkühler KJ6500: 51880 BTU/h Kühlleistung; 4,6-5,12 kW Kompressor
Vakuumpumpe Erreicht ein Vakuum von 10⁻² Torr
Molekularvakuumpumpe Erreicht ein Vakuum von 10⁻⁴ Torr
Hochleistungs-Flügelzellenpumpe NRTL-zertifiziert, 240 L/m mit Abluftfilter

Warum uns wählen

Die Wahl dieses Schnelltemperatur-Prozesssystems bedeutet die Investition in eine Plattform, die sowohl für extreme Präzision als auch für industrielle Effizienz entwickelt wurde. Der Hauptvorteil liegt in seiner spezialisierten Kurzwellen-Infrarotheiztechnologie, die ein Maß an thermischer Kontrolle und Geschwindigkeit bietet, das herkömmliche Widerstandsheizöfen nicht erreichen können. Diese Fähigkeit ist für die moderne Materialwissenschaft unerlässlich, wo der Unterschied zwischen einem Durchbruch und einem Fehlschlag oft von wenigen Sekunden Belichtungszeit oder einem einzigen Grad Temperaturabweichung abhängt. Darüber hinaus ist die Bottom-Loading-Architektur nicht nur eine Bequemlichkeit, sondern eine grundlegende Designentscheidung, die den Übergang zur autonomen F&E ermöglicht und es Ihrem Labor ermöglicht, rund um die Uhr mit minimalem menschlichen Eingriff zu arbeiten.

Jede Komponente des Systems, vom hochreinen Quarzrohr bis zur SCR-geregelten Stromversorgung, wurde aufgrund ihrer Fähigkeit, den Belastungen schneller thermischer Zyklen standzuhalten, ausgewählt. Dieser Fokus auf Langlebigkeit stellt sicher, dass Ihre Investition über Jahre hinweg mit hoher Genauigkeit funktioniert und die Konsistenz Ihrer Daten und die Qualität Ihrer Ergebnisse aufrechterhält. Mit modularen Optionen für Robotik, fortschrittliche Kühlung und Hochvakuumintegration kann dieses Gerät an Ihre spezifischen Prozessanforderungen von heute angepasst werden und sich mit Ihren Forschungszielen von morgen weiterentwickeln.

Kontaktieren Sie noch heute unser technisches Vertriebsteam für ein detailliertes Angebot oder um eine maßgeschneiderte thermische Prozesslösung zu besprechen, die auf Ihre spezifischen F&E-Anforderungen zugeschnitten ist.

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